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本发明公开了一种提高耐压设计精度的暂态抑制二极管结构，该结构借助薄片工艺，对暂态抑制二极管的结构进行精确的设计与加工，在P+高掺杂区二次注入深结，引入曲率效应，以固定器件的击穿点，避免了器件在边缘及结终端等不期望发生击穿的结构处发生击穿而无法达到预设耐压的问题，从而实现通过调整器件尺寸与垂直掺杂来精确设计器件耐压的效果。相比常规的暂态抑制二极管，本方案所提出结构因在器件体内引入曲率效应，确保器件在体内发生击穿，增大了器件耐压的设计范围并确保了耐压精度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113990925 A
(43)申请公布日 2022.01.28
(21)申请号 202111246229.X
(22)申请日 2021.10.26
(71)申请人 电子科技大学
地址
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