碳化硅晶种及碳化硅晶体的制造方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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碳化硅晶种及碳化硅晶体的制造方法.pdf

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本发明提供一种碳化硅晶种及碳化硅晶体的制造方法。碳化硅晶种具有硅面、以及相对硅面的碳面，其中硅面的基面位错密度BPD1与所述碳面的基面错位密度BPD2之间的差异比D满足下述式(1)，且碳化硅晶种的局部厚度变化LTV为2.5μm以下，以及碳化硅晶种的堆垛层错SF密度为10EA/cm2以下：D＝(BPD1‑BPD2)/BPD1≤25％(1)。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113981535 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202110848248.3 (22)申请日 2021.07.27 (30)优先权数据