碳化硅晶碇的制造方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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碳化硅晶碇的制造方法.pdf

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本发明提供一种碳化硅晶碇的制造方法，包括：提供包含碳元素以及硅元素的原料以及位于原料上方的晶种于反应器内，其中晶种的第一面朝向原料；加热反应器以及原料，其中部分原料被气化后传输至晶种的第一面以及晶种的侧壁上并形成碳化硅材料于晶种上，以形成包含晶种以及碳化硅材料的成长体，其中成长体沿着晶种的径向生长，且成长体沿着垂直晶种的第一面的方向上生长；以及冷却反应器以及原料，以获得碳化硅晶碇，其中碳化硅晶碇的直径大于晶种的直径。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113981529 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202110850977.2 C30B 28/12 (2006.01) (22)申请日 2