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- 2023-04-23 发布于北京
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本发明涉及一种整合肖特基二极管的沟槽MOS功率器件，它包括N‑型硅衬底、栅极氧化层、屏蔽栅多晶硅、栅极导电多晶硅、P‑型体区、N+型源区、第一正面金属、掩蔽层、势垒合金、P‑型柱、第二正面金属与背面金属。本发明将高功效沟槽MOS与肖特基二极管集成并联在一个元胞里，缩减电路的器件个数，同时也集成双器件的功能，有效保证开关的恢复效率，减少了并联体内寄生二极管的导通损耗，也整体降低器件的应用成本。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113972203 A
(43)申请公布日 2022.01.25
(21)申请号 202111353315.0
(22)申请日 2021.11.16
(71)申请人 无锡先瞳半导体科技有限公司
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