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本申请涉及一种碳化硅半导体结构、器件及制备方法,设置第二导电类型的第一屏蔽区和第二屏蔽区。所述第二屏蔽区在栅极沟槽靠近衬底的一侧且所述第二屏蔽区不与所述栅极沟槽接触。所述第一屏蔽区在接触区靠近所述衬底的一侧且与所述接触区接触。所述第一屏蔽区和所述第二屏蔽区改变了栅极沟槽的电场分布,从而屏蔽栅极沟槽高电场使碳化硅半导体器件获得较高的击穿电压。所述第一屏蔽区和所述第二屏蔽区也能避免产生过大的耗尽区而阻碍电流,从而降低了碳化硅半导体器件的导通电阻。同时,本申请所述的碳化硅半导体结构、器件及制备方法避免
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113990919 A
(43)申请公布日 2022.01.28
(21)申请号 202111185003.3
(22)申请日 2021.10.12
(71)申请人 松山
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