掩埋异质结器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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掩埋异质结器件及其制备方法.pdf

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本发明公开了掩埋异质结器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长第一掺杂层、有源层、第二掺杂层、第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层上制作填充窗口；将该窗口腐蚀至第一掺杂层上表面，形成沟槽并填充掩埋材料；通过腐蚀形成辅助脊；第一掺杂层和辅助脊上生长第二二氧化硅层；通过腐蚀在第二二氧化硅层上制备发光脊；在发光脊和辅助脊上分别制作沉积金属窗口；在该窗口内生长欧姆接触并制作第一正面金属电极；经处理之后，在衬底底部制作背面金属电极，解理处理后，得到芯片本体；在第一热沉材料表面制作第二正面金属电极；将芯片

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113991419 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202111232392.0 H01S 5/22 (2006.01)