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- 2023-04-24 发布于北京
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本发明公开了一种增强型HEMT欧姆接触结构的制作方法及其应用。在一个实施例中，所述的制作方法包括：在HEMT器件的外延结构上依次设置底层光刻胶、金属层、顶层光刻胶形成三明治结构的复合掩模；将顶层光刻胶选区曝光显影，之后将显影区域下方的金属层刻蚀去除，然后将顶层光刻胶和显影区域下方的底层光刻胶去除，其后刻蚀去除显影区域下方的p‑GaN，使欧姆接触区暴露出，最后在欧姆接触区沉积源、漏金属并形成欧姆接触结构。本发明可以有效兼容通氧自停止刻蚀GaN工艺，精确控制欧姆接触区的GaN刻蚀深度，降低二次刻蚀损
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114023641 A
(43)申请公布日 2022.02.08
(21)申请号 202111305214.6
(22)申请日 2021.11.05
(71)申请人 苏州能屋电子科技有限公司
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