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本发明公开了一种适用于大功率裸芯片散热的复合式衬底结构，所述复合式衬底结构包括第一衬底和金刚石铜衬底，其中，所述第一衬底上设有第一装配腔槽和第二装配腔槽，所述第二装配腔槽围绕所述第一装配腔槽设置，且所述第一装配腔槽的深度大于所述第二装配腔槽设置；其中，金刚石铜衬底安装于第一装配腔槽内，待散热的芯片设置于所述金刚石铜衬底上方；所述芯片的外围电路装配固定于第二装配腔槽内，且芯片顶面高度与外围电路顶面高度相同。本发明的复合式衬底结构，结合了金刚石铜衬底超强的散热能力以及其他衬底良好的机加工特性，较好的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 114023709 B
(45)授权公告日 2022.03.22
(21)申请号 202210003535.9 (51)Int.Cl.
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