一种硅衬底上3C碳化硅材料外延生长方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于四川
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一种硅衬底上3C碳化硅材料外延生长方法.pdf

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本发明公开了一种硅衬底上3C碳化硅材料外延生长方法，选择商业化的硅衬底并清洗；在硅衬底正面涂覆光刻胶，经光刻、显影、坚膜后刻蚀以形成刻蚀道；沉积SiO2填充刻蚀道，并使晶片表面平坦化；使用H2气体高温刻蚀硅衬底结构表面，去除晶片表面损伤层；在外延炉中通入H2气体为载气，并通入碳源气体，对衬底表面进行碳化；在外延炉中通入H2气体为载气，通入硅源气体、碳源气体及掺杂气体，并在高温下反应生成3C碳化硅。本发明相比于传统的4H碳化硅同质外延，在外延生长前预先在硅衬底上形成应力释放结构，降低了外延生长过程

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114038733 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111118759.6 (22)申请日 2021.09.24 (71)申请人基本半导体（南京）有限公司