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本发明涉及一种半显影干膜法实现精细线路的蚀刻方法,属于线路蚀刻技术领域。包括步骤:在基材的铜层上贴覆干膜;利用半显影工艺对干膜进行减薄;对贴覆的干膜进行曝光、显影、蚀刻、剥膜处理,完成精细线路的形成。所述的半显影工艺处理的干膜为正性干膜的情况下,通过整板显影,对干膜进行减薄。本发明的有益效果是:半显影干膜法提升了干膜解析度,生产产品线路更精细,提升产品竞争力;干膜价格便宜,降低产品生产成本;半显影干膜法使用干膜贴覆工艺,相较涂布光刻胶工艺设备简单,价格低廉,生产难度降低。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113993288 A
(43)申请公布日 2022.01.28
(21)申请号 202111394712.2
(22)申请日 2021.11.23
(71)申请人 上达电子(深圳)股份有限公司
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