熔丝结构的制作方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约8.69千字
约 9页
2023-04-24 发布于北京
举报
版权申诉

熔丝结构的制作方法.pdf

1、本文档共9页，其中可免费阅读8页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请公开了一种熔丝结构的制作方法，涉及半导体制造领域。该熔丝结构的制作方法包括在介质层上方的金属层中形成熔断部，所述金属层和所述介质层之间设置有阻挡层；形成钝化层；通过光刻和刻蚀工艺，在所述熔断部两侧的介质层中形成凹槽；通过灰化工艺和湿法清洗工艺去除残余的光刻胶，灰化过程中通入CF4气体；光刻胶去除后，位于所述熔断部下方的阻挡层的宽度小于所述熔断部的宽度；解决了目前熔丝结构熔断耗时长；达到了在不增加工艺步骤的情况下，提升熔丝结构熔断效率的效果。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023693 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111186004.X (22)申请日 2021.10.12 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司