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本申请公开了一种刻蚀方法，该刻蚀方法应用于FinFET器件的制备工艺中，包括：在衬底上形成第一绝缘层，第一绝缘层覆盖衬底上的第一鳍式结构和第二鳍式结构，第一鳍式结构的高度高于所述第二鳍式结构的高度，第一绝缘层在衬底上不同区域的厚度不同，第一鳍式结构上依次形成有氧化层、第一硬掩模层和第二硬掩模层；对第一绝缘层进行第一次平坦化处理，直至第一硬掩模层暴露；去除目标区域中的第一鳍式结构、第二鳍式结构和第一绝缘层，在目标区域形成沟槽；形成第二绝缘层，第二绝缘层填充沟槽；进行第二次平坦化处理，直至第一硬掩模
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114038755 A
(43)申请公布日 2022.02.11
(21)申请号 202111238596.5
(22)申请日 2021.10.25
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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