一种单晶金刚石多片共同生长的制备方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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一种单晶金刚石多片共同生长的制备方法.pdf

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一种单晶金刚石多片共同生长的制备方法，为每片种晶设计独立的钼托单元；将多个载有种晶的独立钼托单元放置在CVD设备水冷沉积台上，根据开机后不同种晶表面温度差异，调整不同钼托单元在沉积台上的位置，同时调整不同种晶与钼托单元的组合，使沉积台上各种晶表面温度差处在设定范围内；对于超出单晶生长温度范围的钼托单元，对钼托上下表面散热结构进行修正或替换新的钼托单元，直至沉积台上所有钼托所载种晶的温度处在设定的单晶生长温度范围内。本发明承载种晶的钼托单元独立设置，可以在水冷沉积台上任意组合和调换位置，使得种晶位

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114016005 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111259926.9 C30B 29/04 (2006.01) (22)申请日 2