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一种ITO阳极及其制备方法、QLED器件及显示装置.pdfVIP

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  • 2023-04-24 发布于北京
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一种ITO阳极及其制备方法、QLED器件及显示装置.pdf

    一种ITO阳极及其制备方法、QLED器件及显示装置，属于QLED器件领域。ITO阳极的制备方法包括：将ITO基板在惰性气氛下，在300‑500℃退火50‑70min，其中，ITO基板包括衬底和沉积在衬底上的ITO薄膜。通过在上述特定条件下进行退火处理，不仅改善了ITO薄膜的质量，且制得的ITO薄膜表面具有褶皱状形貌，其尤其适用于应用于QLED器件中，不仅能够降低了ITO/空穴注入层界面的势能障碍，同时在形成空穴注入层后，降低空穴注入层表面的粗糙度，有效地提高了空穴注入效率，从而提高了QLED器件

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023911 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111305680.4 (22)申请日 2021.11.05 (71)申请人 合肥福纳科技有限公司

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