半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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半导体结构及其形成方法.pdf

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本申请提供半导体结构及其形成方法，所述结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括鳍片区和隔离区，所述隔离区用于隔离相邻的鳍片区，所述鳍片区的半导体衬底上形成有若干鳍片；第一隔离层，位于所述半导体衬底表面和所述若干鳍片的部分侧壁；第二隔离层，位于所述隔离区且贯穿所述第一隔离层。本申请所述的半导体结构及其形成方法，一方面在所述隔离区形成缓第二隔离材料层，所述第二隔离材料层的应力较低，可以降低所述若干鳍片中最外侧的鳍片受到的应力；另一方面，进行了两次退火工艺可以进一步释放第一隔离材料层和第二隔离材料层的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114005754 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202010734868.X (22)申请日 2020.07.28 (71)申请人中芯南方集成电路制造有限公司