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半导体光元件，具备埋入有活性层的台面构造(7)，该半导体光元件由光斑尺寸转换部(B)和活性层(3)的宽度均等的直线部(A)构成，光斑尺寸转换部(B)位于比该直线部(A)靠光的出射侧的位置，并且活性层(3)处的光的限制比直线部(A)弱，且在光的出射端处的光的光斑尺寸大于直线部的光的光斑尺寸，在与活性层(3)的层面平行的同一平面内，直线部(A)的台面构造(7)的宽度的平均值是比光斑尺寸转换部(B)的出射端处的台面构造(7)的宽度的值小的值，在台面构造(7)的顶部以遍及直线部(A)以及光斑尺寸转换部(
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114008879 A
(43)申请公布日 2022.02.01
(21)申请号 202080043299.2 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限
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