沟槽的制作方法以及存储器的制作方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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沟槽的制作方法以及存储器的制作方法.pdf

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本发明提供沟槽的制作方法以及存储器件的制作方法，掩膜层包括层叠的无定形碳层和DARC层，无定形碳层覆盖浅沟槽隔离和氮化层；在形成掩膜层之前，不去除氮化层，避免形成凹坑，利用了无定形碳层高的纵横向刻蚀选择比的优点，避开了无定形碳层填充能力较弱的缺点。逐层刻蚀以图形化光阻层和掩膜层，采用掩膜层和光阻层叠加的多层膜层结构来进行沟槽的对应开口的刻蚀，依次传递开口的图形及尺寸，提高开口图形的解析度和保真度，实现对开口图形的关键尺寸的精确控制，从而能对沟槽的关键尺寸精确控制，能将沟槽的关键尺寸进一步做小。沟

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114005750 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202111284751.7 (22)申请日 2021.11.01 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司