一种高温高压碳硅分离工艺及装置.pdfVIP

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2023-04-24 发布于四川
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一种高温高压碳硅分离工艺及装置.pdf

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本发明公开了一种高温高压碳硅分离工艺及装置，将多晶硅碳头料加热，在碳头料表面生成一层SiO2层；在多晶硅碳头料表面喷射冷水,使多晶硅碳头料表面发生皲裂；在多晶硅碳头料表面喷射腐蚀液；采用去离子水对分离后的多晶硅碳头料清洗，并进行多晶硅和石墨筛选分离。本发明通过将多晶硅碳头料加热后再喷射冷水急冷从而使碳头料发生皲裂，从而为腐蚀液提供了便利的反应通道，使腐蚀液更容易渗入碳头料内，加速了反应时间，从而大大降低了多晶硅碳头料在腐蚀液中的浸润时间，提高了多晶硅碳头料的硅碳分离的效率和效果。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114014323 B (45)授权公告日 2022.03.15 (21)申请号 202210008361.5 (56)对比文件