超低介电常数交联型聚芳醚腈薄膜及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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超低介电常数交联型聚芳醚腈薄膜及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种超低介电常数交联型聚芳醚腈薄膜及其制备方法，属于高分子薄膜制备领域。本发明将可交联聚芳醚腈和成孔剂充分共混，并通过熔融挤出成膜法，制得可交联型聚芳醚腈薄膜；其经冷却成型后，高温热处理固化；冷却后，将薄膜浸泡在沸水，以去除物理成孔剂，最后烘干即得到超低介电常数交联型聚芳醚腈薄膜。本发明设计了含有可交联基团的聚芳醚腈为原料，通过后交联反应，形成致密的交联网络结构，保证了优异的力学性能，通过成孔剂的引入获得了大量孔洞结构，从而得到超低介电含氟聚芳醚腈薄膜。本发明所制备的交联型聚芳醚腈薄

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114015039 B (45)授权公告日 2022.07.26 (21)申请号 202111373382.9 C08L 71/10 (2006.01) (22)申请日 2021.11