一种具有ESD保护的MOSFET结构及制造方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于四川
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一种具有ESD保护的MOSFET结构及制造方法.pdf

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本申请公开了一种具有ESD保护的MOSFET结构及制造方法，属于半导体功率器件和半导体功率器件制造技术领域。该结构主要包括硅衬底；外延层，其生长在硅衬底上方；有源区，其形成在外延层的第一区域；以及ESD模块区，其形成在外延层的第二区域的沟槽内，用于对有源区进行静电保护，其中，ESD模块区的上表面与有源区的上表面大致平齐，形成第一表面。本申请能够在保证MOSFET的抗静电能力和抗过电压能力条件下，减小ESD模块区和有源区的台阶差，降低工艺难度，提高了芯片生产良率，改善元器件的性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023823 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111495188.8 (22)申请日 2021.12.09 (71)申请人扬杰科技（无锡）有限公司