光半导体装置的制造方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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光半导体装置的制造方法.pdf

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包括：在n型InP基板(10)的表面形成半导体层的工序；对所述半导体层的一部分进行蚀刻来形成活性层脊(20)的蚀刻工序；边供给结晶生长的原料气体和蚀刻气体，边去除附着于被蚀刻的半导体层的表面的Si的清洁工序；以及在比所述清洁工序中的温度高的处理温度下，在活性层脊(20)的两侧形成埋入层(40)的结晶生长工序，以保持脊形状的状态进行清洁。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114008748 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 201980097657.5 (51)Int.Cl.