半导体结构及其制备方法、三维存储器及存储系统.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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半导体结构及其制备方法、三维存储器及存储系统.pdf

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本公开涉及半导体芯片技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、三维存储器及存储系统。可以减少后续填充材料填充不良所带来的器件结构性能恶化，甚至失效等问题。一种半导体结构，包括：叠层结构和绝缘部，叠层结构包括沿第一方向交替叠置的多个绝缘层和多个栅导电层；叠层结构具有第一核心区和台阶区；在台阶区，叠层结构划分成沿第三方向依次排列的墙体和台阶结构，墙体的上表面上设置有沿第三方向贯穿墙体的凹槽，台阶结构包括沿第二方向排列的第一台阶集群和第二台阶集群，第二台阶集群相比于第一台阶集群远离所述第一核心区，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023756 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111264319.1 (22)申请日 2021.10.28 (71)申请人长江