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光电传感器及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-04-24 发布于北京
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光电传感器及其制作方法.pdf

    本发明涉及一种光电传感器及其制作方法。该制作方法在半导体衬底的正面形成了第一隔离结构和第二隔离结构，在背面形成了第三隔离结构，在半导体衬底中，第一隔离结构较第二隔离结构嵌设得浅，便于确保感光区和读出电荷区的工作性能，第二隔离结构与第三隔离结构上下对应且相互连接，使得相邻的像素区之间具有极佳的隔离效果，并且，由于第二隔离结构较第一隔离结构嵌设得更深，第三隔离结构的制作难度较低，且不容易刻穿衬底。所述光电传感器中，相邻像素之间的串扰小，便于在像素尺寸和像素之间间距实现微缩的同时，使器件具有较佳的质量

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023776 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111308541.7 (22)申请日 2021.11.05 (71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司

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