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一种高纯高密度特点的碳化硼溅射靶材的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-04-24 发布于北京
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一种高纯高密度特点的碳化硼溅射靶材的制备方法.pdf

    本发明提供的一种高纯高密度特点的碳化硼溅射靶材的制备方法，应用于航空航天、国防军工和核能利用等高科技领域。本发明通过优化原材料粉的制备方法，在保持高纯度的前提下将粉的粒度降低到D0值≤0.5μm，使得在不添加任何烧结助剂的情况下，所需的烧结压力降低，得到的陶瓷性能稳定、均匀。本发明通过采用石墨碳纤维复合模具和石墨模具配合使用的方法，提高模具耐压强度，使制备出的单件碳化硼溅射靶材纯度≥99.99％，密度超过理论密度的99.9％。使用本方法制备的碳化硼陶瓷同时具备低密度、高硬度、高抗弯强度和高断裂韧

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114014670 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111312943.4 (22)申请日 2021.11.08 (71)申请人 大连正兴磨料有限公司

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