低温烧结氧化锆陶瓷及其制备工艺.pdfVIP

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  • 2023-04-24 发布于北京
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本发明涉及氧化锆陶瓷技术领域,具体涉及一种低温烧结氧化锆陶瓷及其制备工艺。所述的低温烧结氧化锆陶瓷,包括以下质量分数的原料制成:92%~98%氧化锆烧成料,2%~8%的烧结助剂;分散剂的加入质量为氧化锆烧成料和烧结助剂总质量和的0.02%~0.04%。本发明提供一种低温烧结氧化锆陶瓷,成本低、强度高、韧性好,制备工艺简单易操作。本发明还提供其制备工艺。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114014652 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111314291.8 (22)申请日 2021.11.08 (71)申请人 长裕控股集团有限公司

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