一种电阻式方形碳化硅单晶生长工艺.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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一种电阻式方形碳化硅单晶生长工艺.pdf

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本发明涉及一种碳化硅生长工艺，具体涉及一种电阻式方形碳化硅单晶生长工艺。该生长工艺主要包括：机械泵抽真空阶段、机械泵与分子泵抽高真空阶段、初加热阶段、引晶阶段、生长阶段、降温阶段。其特征在于：首先通过机械泵对单晶炉腔体抽低真空，启动分子泵，二者结合抽至单晶炉高真空，进入初步加热阶段，向炉内充入一定流量的氮气及氩气，并使炉内温度压力控制在合理范围，温度恒定指定时间，再次加大炉内压力值，使炉内温度快速升高，同时设定坩埚匀速转动，此时原料升华至籽晶表面进行引晶；引晶结束碳化硅晶体进入生长阶段，调节主加

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114016135 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111282333.4 (22)申请日 2021.11.01 (71)申请人哈尔滨科友半导体产业装备与技术