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旋涂碳合成物与制造半导体元件的方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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旋涂碳合成物与制造半导体元件的方法.pdf

    一种制造半导体元件的方法包括在半导体基板上形成包含旋涂碳合成物的旋涂碳层。首先在第一温度下加热该旋涂碳层，以部分交联该旋涂碳层。在第二温度下对旋涂碳层进行第二加热，以进一步交联该旋涂碳层。在旋涂碳上层上形成一层覆盖层。第二温度高于第一温度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068300 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110023472.9 C09D 133/04 (2006.01)

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