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半导体元件结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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半导体元件结构及其制备方法.pdf

    本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法，其是可避免微图案的塌陷。该半导体元件结构具有一第一目标结构以及一第二目标结构，设置在一半导体基底上。该半导体元件结构亦具有一第一氮化硼间隙子，设置在该第一目标结构上，其中在剖视图中，该第一氮化硼间隙子的一最高点是位在该第一目标结构的一中心线与该第二目标结构的一中心线之间。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068314 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110742319.1 (22)申请日 2021.07.01 (30)优先权数据 16/942,04

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