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一种3D NAND存储器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于北京
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一种3D NAND存储器件及其制造方法.pdf

    本申请提供一种3DNAND存储器件及其制造方法，多个存储区域通过伪存储区域进行分隔，刻蚀堆叠层以在伪存储区域中形成多个栅线隔离缝隙和伪沟道孔，通过在栅线隔离缝隙的侧壁形成绝缘层，以在栅线隔离缝隙中形成连接孔，在连接孔中填充金属，以在栅线隔离缝隙中形成接触插塞，最终通过多个接触插塞形成从3DNAND存储器件的一侧表面至相对的另一侧表面的电连接。由此可见，本申请通过在栅线隔离缝隙中形成接触插塞，能够在3DNAND存储器件中形成足够的接触插塞，并且能够避免降低存储区域占据存储器件的面积，提高存储

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114038860 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111369252.8 (22)申请日 2021.11.18 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司

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