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一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统及工艺.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于北京
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一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统及工艺.pdf

    一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统，在盖片内刻蚀有真空腔，在盖片的外侧墙上淀积有过渡金属，过渡金属的扩散，使其到达内侧墙，形成金属吸气层；盖片与晶圆之间设置有密封金属条，谐振腔设置在MEME晶圆上，MEME晶圆和吸气层内带有腔体结构。一种用于晶圆级MEMS真空封装的金属扩散吸附系统的工艺，在盖片的外侧墙上淀积过渡金属，形成金属吸气层；高温退火，改善过渡金属的扩散，使其快速到达腔内墙与气体反应，提高真空度，同时也能使硅烷和氢气通过化学反应消除增加密封性。本发明的优点：吸附键合后真空腔

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114057156 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202111572795.X B81C 3/00 (2006.01) (22)申请日 20

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