单片多芯协同发光二极管.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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一种单片多芯协同发光二极管包括:n型结构,p型结构,以及夹设在n型结构与p型结构之间的有源区;多个单片集成的迷你芯片,其中每个迷你芯片包括:迷你n接触,形成在n型结构上,该n型结构通过p型结构和有源区中的开口暴露;迷你p欧姆接触,形成在p型结构上;以及迷你发光区域,由迷你p欧姆接触限定。n桥金属,其将每个迷你芯片的迷你n接触电连接到n键合焊盘,其中n桥金属形成在p型结构上以及p型结构和有源区中的开口的侧壁上。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068604 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110499586.0 H01L 33/10 (2010.01)

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