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- 2023-04-25 发布于四川
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本公开提供制造掩模的方法以及制造半导体器件的方法。一种制造掩模的方法可以包括：识别形成在基板上的最终图案中的误差图案；基于该误差图案校正第一目标图案；基于校正后的第一目标图案将第一掩模布局分割为多个第一段；以及通过偏移所述多个段当中的对应于第一最终目标的多个第一目标段来校正第一掩模布局。第一掩模布局可以包括第一延伸图案、设置为Z字形的最终目标以及对应于误差图案的第一最终目标，所述多个第一段中的每个可以对应于最终目标中的一个。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114063381 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202110724790.8
(22)申请日 2021.06.29
(30)优先权数据
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