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- 2023-04-25 发布于北京
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本发明提供一种SICMOSFET器件的制备方法，包括步骤：提供SIC基底，于SIC基底上形成若干间隔设置的第一导电类型的阱区、第一导电类型的第一有源区和第二导电类型的第二有源区；于位于阱区之间的基底表面或基底内形成栅氧化层、栅导电层，形成覆盖栅导电层的栅介质层；形成第一有源区金属层和第二有源区金属层；对第一有源区金属层和第二有源区金属层进行不同温度的退火以分别形成第一欧姆接触和第二欧姆接触。本发明在制备SICMOSET器件的过程中，对N型区金属层和P型区金属层退火时采取不同的退火温度，使得N
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114038757 A
(43)申请公布日 2022.02.11
(21)申请号 202111336567.2
(22)申请日 2021.11.12
(71)申请人 上海积塔半导体有限公司
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