原创力文档- 1
- 0
- 约3.54万字
- 约 40页
- 2023-04-25 发布于四川
- 举报
本申请公开了半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。一种半导体装置包括：在第一方向以及与第一方向交叉的第二方向上延伸的基板；设置在基板的一侧的多个输入/输出焊盘；在第一方向上与输入/输出焊盘相邻的第一电路；第二电路，其被设置为比第一电路在第一方向上与输入/输出焊盘间隔开更远；与第一电路交叠的第一存储器单元阵列；与第二电路交叠的第二存储器单元阵列；与第一存储器单元阵列交叠并且在第二方向上彼此间隔开的多个第一金属源极图案；以及与第二存储器单元阵列交叠并且在第二方向上宽度比各个第一金属源极图案的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114067857 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202110333576.X H01L 27/11578 (2017.01)
(22)申请日
文档评论（0）