一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构及测试方法.pdfVIP

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2023-04-25 发布于四川
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一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构及测试方法.pdf

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本发明公开了一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构及测试方法，其中，测试结构包括键合连接的SOI硅片和上层硅片；SOI硅片包括从下至上依次设置的底层硅衬底、绝缘层和由单晶硅结构层构成的过刻结构；上层硅片包括等距顺次设置的第一L型硅梁单元、第二L型硅梁单元、第三L型硅梁单元和第四L型硅梁单元；四个L型硅梁单元围成方形刻蚀区；其中，测试方法包括采用四线法测量过刻结构的等效电阻率，根据等效电阻率计算得到过刻结构的过刻坡度。本发明的测试结构简单，制备成本低，测试方法步骤简洁，能够快速获得结果

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114031032 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111326978.3 (22)申请日 2021.11.10 (71)申请人河海大学地址 21