三维存储器及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-25 发布于四川
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三维存储器及其制作方法.pdf

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本发明涉及一种三维存储器及其制作方法，该三维存储器的制作方法包括：在衬底上形成第一堆栈结构；在第一堆栈结构背离衬底的表面上形成第一开口；以第一开口为对准标记对第一堆栈结构进行刻蚀，形成贯穿第一堆栈结构的第一沟道孔；在第一沟道孔中形成牺牲材料层，并在第一开口中形成支撑层；在第一堆栈结构、牺牲材料层和支撑层上形成第二堆栈结构；形成贯穿第二堆栈结构的第二开口，第二开口暴露支撑层；经由第二开口去除支撑层，从而，能够避免由于第一堆栈结构上提供对准标记的第一开口的存在，导致第一开口的上下膜层容易受到来自于第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114038858 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111280227.2 (22)申请日 2021.10.29 (71)申请人长江