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本发明公开了一种基于微纳米复合结构的黑硅紫外PIN型光电传感器，由硅衬底、设置在硅衬底正面的黑硅结构、位于硅衬底正面的P型掺杂区、位于硅衬底背面的N型掺杂区、覆盖在黑硅结构上的氧化铝薄膜以及设置在硅衬底和黑硅结构上的金电极构成，所述黑硅结构由微米结构和纳米结构复合而成；所述微米结构经MEMS工艺光刻成相应图形，再通过Bosch刻蚀形成；所述纳米结构为在微米结构的基础上采用光刻工艺形成相应图形，再通过等离子体浸没刻蚀形成。本发明将光电传感器的探测范围扩展到近紫外光范围，使得在保证光电传感器低反射率
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068753 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202111373062.3
(22)申请日 2021.11.18
(71)申请人 中北
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