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具有集成保护功能的III-V族半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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具有集成保护功能的III-V族半导体器件.pdf

    公开了一种基于III族氮化物半导体的异质结功率器件，其包括形成在衬底上的第一异质结晶体管(19)，该第一异质结晶体管包括：第一III族氮化物半导体区，其形成在该衬底上，其中该第一III族氮化物半导体区包括第一异质结，该第一异质结包括第二导电类型的至少一个二维载流子气；第一端子(8)，其操作性地连接至该第III族氮化物半导体区；第二端子(9)，其与该第一端子横向间隔开并且操作性地连接至该第一III族氮化物半导体区；第一栅极端子(10)，其形成在该第一端子与该第二端子之间的该第一III族氮化物半导体

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114072909 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202080048477.0 (71)申请人 剑桥氮化镓器件有限公司

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