半导体结构的制造方法.pdfVIP

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2023-04-25 发布于四川
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半导体结构的制造方法.pdf

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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法，半导体结构的制造方法包括：提供依次层叠设置的基底、第一介质层、第二介质层以及掩膜层，第一介质层的材料与第二介质层的材料不同，且基底内具有多个分立的着落垫，掩膜层内具有多个贯穿掩膜层的开口；以掩膜层为掩膜，沿开口刻蚀第二介质层以及第一介质层，直至露出着落垫，形成贯穿第二介质层以及第一介质层的多个第一通孔，且每一第一通孔露出相应的一着落垫；形成下电极膜，下电极膜至少填充满开口以及第一通孔；去除掩膜层以及高于第二介质层顶面的下电极膜，剩余的下电

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115996569 A (43)申请公布日 2023.04.21 (21)申请号 202310115176.0 (22)申请日 2023.02.02 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 23