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用于半导体装置的沟道和体区域形成.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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用于半导体装置的沟道和体区域形成.pdf

    本公开涉及用于半导体装置的沟道和体区域形成。提供了用于在重复迭代中竖直地形成第一介电材料、半导体材料和第二介电材料的层以形成竖直堆叠以及使用蚀刻工艺形成竖直开口以暴露所述竖直堆叠中的竖直侧壁的系统、方法和设备。将对于所述半导体材料具有选择性的晶种材料沉积在所述竖直堆叠和所述竖直堆叠中的所述竖直侧壁之上，并且加工所述晶种材料，使得所述晶种材料在所述半导体材料内前进，使得所述晶种材料转变所述半导体材料的一部分的晶体结构。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068426 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110734420.2 (22)申请日 2021.06.30 (30)优先权数据 16/943,56

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