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- 2023-04-25 发布于北京
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本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114035254 A
(43)申请公布日 2022.02.11
(21)申请号 202111335991.5 阿列克谢 ·谢尔盖耶维奇 ·库兹涅
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