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一种具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。从下至上依次由衬底、成核层、n型GaN层、具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层组成，在p型层和n型层上分别设有上电极和下电极。电极由热蒸镀或电子束蒸发方法制备，其余各层通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法制备。本发明根据所需发光波长确定多量子阱中InGaN阱层的组分后，通过极化强度和禁带宽度的计算调控超晶格势垒层的组分，可以在保证势垒层禁带宽度大于
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115995514 A
(43)申请公布日 2023.04.21
(21)申请号 202310194705.0
(22)申请日 2023.03.03
(71)申请人 吉林大学
地址 130012
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
版权声明书
用户编号：8063122115000010
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