一种半导体器件及其制造方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.67万字
约 20页
2023-04-25 发布于北京
举报
版权申诉

一种半导体器件及其制造方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体制造技术领域，以解决存储接触部和位线结构之间产生的寄生电容较大，从而影响半导体器件工作性能的问题。所述半导体器件包括：具有有源区的半导体衬底；形成在半导体衬底上的位线结构，位线结构包括接触部，以及位于接触部上的位线主体，接触部与有源区的其中一部分接触；以及形成在相邻两个位线结构之间的存储接触部，存储接触部与有源区的另一部分接触；其中，位线主体在接触部上方的部分具有比位线主体的其他部分低的顶部高度。所述半导体器件的制造方法用于制造半导体器件。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068536 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202010752381.4 (22)申请日 2020.07.30 (71)申请人中国科学院微电子研究所