一种渐变纳米凹槽阳极AlGaN/GaN肖特基二极管的制备方法.pdfVIP

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2023-04-25 发布于四川
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一种渐变纳米凹槽阳极AlGaN/GaN肖特基二极管的制备方法.pdf

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本发明公开了一种渐变纳米凹槽阳极AlGaN/GaN肖特基二极管的制备方法，包括过滤机构，所述过滤机构包括用于安装的固定连接框、固定连接在所述固定连接框中部的过滤网和开设于所述固定连接框边缘处且具有限位作用的固定孔，所述固定连接框带动过滤网在连接柱的单体之间构成拆卸结构，安装柱，所述安装柱靠近过滤网水平中轴线一端的侧壁上开设有连接槽，所述连接槽的中部固定连接有用于复位的弹簧。该渐变纳米凹槽阳极AlGaN/GaN肖特基二极管的制备方法，通过过滤机构的设置，对燃油中的杂质进行过滤，防止杂质随着燃油进入

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114028852 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111303743.2 (22)申请日 2021.11.05 (71)申请人江苏康芯微电子科技有限公司