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- 2023-04-25 发布于北京
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本发明涉及一种N‑GaN层的粗化方法、芯片及其制作方法。上述N‑GaN层的粗化方法，其包括以下步骤：采用紫外吸收剂对所述N‑GaN层进行预处理，形成预处理表面；在所述预处理表面形成纳米微球掩膜层；在所述纳米微球掩膜层的掩膜作用下对所述N‑GaN层进行干法蚀刻，形成粗化表面。本发明提供的上述粗化方法有效解决了现有技术中采用湿法蚀刻N‑GaN层时存在的蚀刻过程不稳定的问题，粗化表面均匀可控，因此最终生产的垂直LED芯片的亮度稳定、波动小，相应也有利于提升芯片的出光效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114038968 A
(43)申请公布日 2022.02.11
(21)申请号 202111308846.8
(22)申请日 2021.11.05
(71)申请人 重庆康佳光电技术研究院有限公司
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