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本发明公开了一种所述的3DSONOS存储器，其存储单元中包含选择管和存储管，其中每两个相邻的存储单元的选择管共用一个源区，所述的存储单元中的选择管的选择管栅极为沟槽型；所述选择管栅极同时还高于半导体衬底表面；存储管栅极位于选择管高于半导体衬底的选择管栅极两侧，作为两个相邻的存储单元的存储管栅极；所述存储管栅极的顶部还具有顶部介质层；所述的沟槽中的选择管栅极的高度与顶部介质层的上表面平齐；在所述存储管栅极两外侧的衬底中，分别具有所述两个相邻的存储单元的各自存储管的漏区。本发明还公开了所述3DS
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114141782 A
(43)申请公布日 2022.03.04
(21)申请号 202111367553.7
(22)申请日 2021.11.18
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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