一种多孔碳双键修饰诱导硅烷沉积的负极材料及其制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2023-04-26 发布于北京
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一种多孔碳双键修饰诱导硅烷沉积的负极材料及其制备方法和应用.pdf

本发明公开了一种多孔碳双键修饰诱导硅烷沉积的负极材料及其制备方法,该硅碳复合材料包括多孔碳微球及硅颗粒。所述多孔碳微球由导电炭黑(SP)、碳纳米管(CNT)构成,硅颗粒均匀附着在所述多孔碳微球的内部或表面。本发明基于碳质材料导电性、保护性、机械强度和循环稳定性且来源丰富、成本低的特点,统筹兼顾硅作为主体材料的高比容和碳质材料高的导电性和保护性,针对现有技术的存在的缺陷,提出一种多孔碳双键修饰诱导硅烷沉积制备硅碳负极材料的方法。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114122370 A (43)申请公布日 2022.03.01 (21)申请号 202111277420.0 (22)申请日 2021.10.29 (71)申请人 西安交通大学 地址

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