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本发明公开一种基材镀膜工艺，基材镀膜工艺包括鼓式基片架承载的孤型或者平面的载具，装载基材，流入前处理室，抽至真空1*10e‑1pa至1*10e‑6pa；通入氩气和氧气，令基材在前处理室通过石墨基材过氧溅射处理1‑30分钟以提高膜层附着力，同时通过加热装置对基材进行烘烤处理，所述阴极为平面靶或旋转靶；将前处理完毕后的基材流入光学镀膜室进行镀膜；镀膜完毕的基材流入至出片室。本发明提供基材镀膜工艺通过石墨阴极对基材进行前处理，相比于离子源清洗具备清洁度更高以及膜层附着能力更强的优点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114086143 A
(43)申请公布日 2022.02.25
(21)申请号 202111440223.6
(22)申请日 2021.11.30
(71)申请人 湘潭宏大真空技术股份有限公司
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