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本发明公开一种场效晶体管，包含:第一半导体结构具有一通道层；第二半导体结构设在第一半导体结构上，且第二半导体结构由下而上依序堆叠一肖特基层、一第一蚀刻停止层、一宽凹层、一欧姆接触层所构成，且在宽凹层开设一窄凹槽与在欧姆接触层开设一宽凹槽，而宽凹槽位于窄凹槽的上方，使宽凹层的上表面形成一宽凹区域与肖特基层的上表面形成一窄凹区域；至少一δ掺杂层插入至第二半导体结构内的预定处；闸极金属触点形成在宽凹槽内与窄凹槽底面至窄凹区域内的预定处；源极金属触点设在欧姆接触层上，且源极金属触点位于闸极金属触点的一侧
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115995488 A
(43)申请公布日 2023.04.21
(21)申请号 202111215444.3
(22)申请日 2021.10.19
(71)申请人 吴华特
地址 中国台湾台北市中山
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版权声明书
用户编号：8063122115000010
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