三极管场效应管半导体器件习题解析.pptxVIP

第1页/共103页三极管场效应管半导体器件习题解析第2页/共103页第1章 半导体器件1.1PN结及其单向导电性1.2半导体二极管 学以致用温故而知新1.3特殊二极管1.4半导体三极管温故而知新1.5场效应管温故而知新第3页/共103页学习要点理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用；了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；会分析含有二极管的电路；了解场效应管的工作原理。注意:对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标 和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。第4页/共103页1.1PN结及其单向导电性 根据物体导电能力(电阻率)的不同，划分为导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge等。半导体的特点：　1）导电能力不同于导体、绝缘体；　2）受外界光和热刺激时电导率发生很大变化——光敏元件、热敏元件；　3）掺进微量杂质，导电能力显著增加——掺杂性。载流子——可以自由移动的带电粒子。返回第5页/共103页+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。 原子按一定规律整齐排列，形成晶体点阵后，结构图为：返回第6页/共103页+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4本征半导体——完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。　当T=0K和无外界激发时，导体中没有载流子，不导电。返回第7页/共103页+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4+4本征激发：价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。这一现象称为本征激发。空穴本征激发自由电子动画1-1 因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。返回第8页/共103页+4+4+4+4+4+5+4+5+4+4+4+4+4+4 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。N型半导体（电子型半导体）多余电子，成为自由电子在本征半导体中掺入五价的元素(磷、砷、锑 )自由电子返回第9页/共103页空穴空穴+4+4+4+4+3+3+4+4+4+4+4+4+4+4P型半导体（空穴型半导体）在本征半导体中掺入三价的元素（硼）N型半导体的多数载流子为电子，少数载流子是空穴；P型半导体的多数载流子为空穴，少数载流子是电子。返回第10页/共103页 PN结的形成　在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。+ 三价的元素+ 五价的元素产生多余空穴产生多余电子因浓度差动画多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散返回第11页/共103页PN结的单向导电性 (1) PN结加正向电压 外加的正向电压，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。PN结呈现低阻性。P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏。动画返回第12页/共103页（2）PN结加反向电压 外加反向电压,方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。 P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。返回动画第13页/共103页1.2 半导体二极管二极管 ：一个PN结就是一个二极管。单向导电：二极管正极接电源正极，负极接电源负极时电流可以通过。反之电流不能通过。符号：返回第14页/共103页 二极管按结构分有点接触型、面接触型二大类。(1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于大电流整流电路。返回第15页/共103页第一象限的是正向伏安特性曲线，正向区分为两段： 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称死区电压或开启电压。 当V ＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 硅二极管的死区电压Vth=0.5－0.8V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.2－0.3 V左右。返回第16页/共103页第三象限的是反向伏安特性曲线。反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。返回第17页/共103页 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反